掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善 (2007年)

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文件名称：掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善 (2007年)

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更新时间：2024-06-05 10:25:11

工程技术 论文

为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷，引入了掩埋金属自对准工艺。新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制，从而有效利用了现有的光刻精度。由此工艺得到的器件测量结果证明，在不提高现有光刻设备精度的基础上，掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进。