基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究 (2005年)

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文件名称：基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究 (2005年)
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更新时间：2021-06-16 06:53:59
自然科学 论文 采用基区及发射区自对准和空气桥技术，降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容，提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax。以分子束外延SiGe材料为基础，研制出了SiGe异质结晶体管器件，取得了fmax为124.2GHz的结果。