减弱SiGe HBT势垒效应 (2008年)

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文件名称：减弱SiGe HBT势垒效应 (2008年)
文件大小：172KB
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更新时间：2021-06-19 03:04:56
自然科学 论文 讨论了基区Ge 分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法.计算结果表明:基区Ge分布对势垒高度有很大的影响,随着BC结处Ge含量的增大,势垒高度也迅速增大,并且使得基区渡越时间也迅速增大;当集电极电流密度增加时,势垒高度有着明显的饱和趋势;通过集电结处Ge 组分缓变,并不能很好地减弱势垒效应的影响,而采用将Ge组分引入到集电区的方法可以有效地推迟势垒效应的发生.