文件名称：退火温度对溅射Al膜微结构及光学常数的影响 (2005年)
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更新时间：2024-05-27 07:38:07
自然科学 论文
用直流溅射镀膜工艺在室温Si基片上制备了250nm厚的Al膜，并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术，对薄膜的微结构和光学常数在不同退火温度下的变化进行了测试分析。结构分析表明：退火后的m膜均呈多晶状态，晶体结构仍为面心立方；随着退火温度由室温20℃左右升高到400℃，薄膜的平均晶粒尺寸由22.8nm增加到25.1衄；平均晶格常数（4.047A）略比标准值4.04960A小。椭偏光谱测量结果表明：2600A～8300A五光频范围内，退火温度对折射率n影响较小，对吸收系数k的影响较为明显。