SOI高温压力传感器的研究 (2006年)

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文件名称：SOI高温压力传感器的研究 (2006年)
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更新时间：2021-05-09 17:34:27
工程技术 论文 介绍了S0I压力传感器的制作工艺，并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟，模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明，当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对S0I压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较，发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。