文件名称：砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响 (2003年)
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更新时间：2024-06-14 12:58:04
自然科学 论文
采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5h)处理的半绝缘(sI)GaAs样品，利用表面光伏(SPV)方法，测量和计算了Sl-GaAs在室温(300K)下的主要施主浓度ELz、禁带宽度Egt和双极扩散长度La，并从理论上给出了相应的解释．
砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响 (2003年)
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