半绝缘GaAs材料中的EL2 (1990年)

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文件名称：半绝缘GaAs材料中的EL2 (1990年)

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更新时间：2024-06-04 20:17:33

自然科学 论文

在半绝缘GaAs材料中，有一位于禁带中部的深能级，称作EL2・．它对GaAs材料的光电性质有极大的影响．本文给出了EL2的主要特性，然后用物理语言综述了已经提出的EL2对应的各种缺陷结构模型．