文件名称：粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 (2000年)
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更新时间：2024-05-14 08:56:05
自然科学 论文
作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料，分别使用电子束或质子束辐照。电子束辐照能量为0.4～1.8MeV，辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2，质子束辐照能量为20～130keV，辐照注量为1×1011cm-2～1x1014cm-2。辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱（DLlS）的测试。测试结果表明，电子束辐照引入了新缺陷，其能级位置为E3=Ec-0.65eV，而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV，电子和质子束辐照同时对与掺有关的原生缺陷DX中心E2=E2