GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法 (2007年)

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文件名称：GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法 (2007年)

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更新时间：2024-07-09 02:55:02

自然科学 论文

通过常规的透射光谱测量,提供一种获取 GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用 。