文件名称：电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅 (2006年)
文件大小：2.38MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-11 13:02:22
自然科学 论文
采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅，对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量，发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孑L硅样品表面均匀、硅丝或者硅拄的尺寸较小、发光强度大，而且发光峰位有明显。的蓝移现象。同时我们还发现多孔硅样品的尺寸越小其能带越宽。由此得出多孔硅样品的发光现象符合量子限域解释的多孔硅的发光机制。