文件名称：用电化学方法制备多孔硅 (2004年)
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更新时间：2024-06-11 20:45:19
自然科学 论文
为了深入了解多孔硅的特性,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层结果发现,在本试验控制条件下,P+掺杂的硅比n十的容易腐蚀,而且孔的分布也比较均匀轮廓仪的分析表明,电化学方法形成的多孔硅表面和内部结构比较规则,而且深度比较大,可在MEMS技术中得到广泛应用对试验中出现的龟裂现象进行了分析,认为这是由于孔内液体挥发产生的毛细应力多孔硅氧化过程中因晶格膨胀和易位形成的应力联合作用的结果。