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文件名称：正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响 (2012年)
文件大小：1.76MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-19 16:05:31
工程技术 论文
采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜，考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌，X射线光电子能谱(XPS)分析元素结合状态，X射线衍射(XRD)分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验，分析了薄膜弹塑性变形特性；采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明：正偏压不影响薄膜结构，其效果在于提高沉积速率约20％，改变等离子体内电荷状态，从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu，抑制了柱状晶，薄膜结构由T区向Ⅱ区转变；ZrN薄膜中加入Cu后硬