基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法 (2008年)

时间:2024-06-03 04:21:12
【文件属性】:

文件名称:基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法 (2008年)

文件大小:229KB

文件格式:PDF

更新时间:2024-06-03 04:21:12

工程技术 论文

在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次siO2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧


网友评论