GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究 (2006年)

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文件名称：GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究 (2006年)

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更新时间：2024-06-13 18:25:19

自然科学 论文

研究了Ti/AI/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关。在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s，获得了ρc为6.94x10-7Ω?cm2的比接触电阻。光学显微镜观察表明，在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌。