文件名称：AlGaN /GaN HEMT 在N2 中高温退火研究 (2006年)
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更新时间：2024-05-27 20:21:21
自然科学 论文
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化。对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃，退火时间为5min。该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8.9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值电压绝对值减小。退火后肖特基势垒高度提高，在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用，这是饱和电流和阈值电压变化的