文件名称：具有增强的击穿和接近零的击穿电压温度系数的AlGaN / GaN HEMT
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更新时间：2024-06-01 05:12:24
AlGaN/GaN high-electron mobility transistor; air-bridge
实验验证了具有新型源极连接的空气桥场板（AFP）的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。 该器件具有一个金属场板，该金属场板从源极跳到栅极区域上方，并降落在栅极和漏极之间。 当与具有常规场板（CFP）结构的类似尺寸的HEMT器件进行比较时，AFP不仅使栅极到源极之间的寄生电容最小，而且还表现出更高的截止状态击穿电压和更低的一个数量级的漏极泄漏电流。 在栅极到漏极距离为6μm，栅极长度为0.8μm的器件中，在V-GS = 5 V的情况下，获得了375 V的三倍高的正向阻断电压。无论设备尺寸如何，CFP只能使用此过程达到不高于125 V的击穿电压。 此外，观察到击穿电压的温度系数为0 V / K。 但是，没有场板（没有FP）和具有优化的常规场板（CFP）的设备的击穿电压温度系数分别为-0.113 V / K和-0.065 V / K。