文件名称：论文研究-利用TCAD软件优化决定LDMOS击穿电压的参数 .pdf
文件大小：746KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-03 09:50:15
TCAD
利用TCAD软件优化决定LDMOS击穿电压的参数 ，陆鑫，，通过对决定一个参考LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS，横向双重扩散场效应管）器件的源漏击穿电压的各结构及其尺寸，位置等参数在TCAD(Techn
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