文件名称:硅化物/硅欧姆接触特性研究 (1993年)
文件大小:723KB
文件格式:PDF
更新时间:2024-06-05 23:52:25
自然科学 论文
本文报道了利用XRD、RBS、SPR、AES、SEM、TEM和Kelvin电阻桥法(CBKR)等测量技术系统地研究了硅化钛/硅,硅化钴/硅欧姆接触特性。实验结果表明,硅化钛(硅化钴)/硅欧姆接触电阻率(ρ_c)不仅受硅表面层掺杂浓度而且也受退火温度,杂质再分布及硅化物/硅介面形貌等因素影响。
文件名称:硅化物/硅欧姆接触特性研究 (1993年)
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自然科学 论文
本文报道了利用XRD、RBS、SPR、AES、SEM、TEM和Kelvin电阻桥法(CBKR)等测量技术系统地研究了硅化钛/硅,硅化钴/硅欧姆接触特性。实验结果表明,硅化钛(硅化钴)/硅欧姆接触电阻率(ρ_c)不仅受硅表面层掺杂浓度而且也受退火温度,杂质再分布及硅化物/硅介面形貌等因素影响。