钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究* (1999年)

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文件名称：钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究* (1999年)

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更新时间：2024-05-28 15:22:51

自然科学 论文

用MEWA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂层的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布。分析表明，在强流钕离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改变而变化。还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。