文件名称：非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 (2010年)
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更新时间：2024-06-03 19:19:22
自然科学 论文
本文针对磷化铁(FePa)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况．研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构．电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰．本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述．