文件名称：重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究 (2007年)
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更新时间：2024-05-31 22:52:33
自然科学 论文
用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品．室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷，其寿命大小约为298 ps．电子辐照会使该缺陷发生变化，导致平均寿命值减小，VGa相关缺陷从-3价变为-2价．质子辐照后，产生了寿命值较大的缺陷．在10～300 K变温实验中，观测到3种样品都存在浅捕获缺陷，该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷．