论文研究-质子辐照GaN的正电子寿命研究 .pdf

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文件名称：论文研究-质子辐照GaN的正电子寿命研究 .pdf

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更新时间：2022-09-05 08:45:51

微电子学与固体电子学

质子辐照GaN的正电子寿命研究，张明兰，，质子辐照诱生缺陷是在外太空等恶劣环境中引起GaN基器件性能退化的主要因素，研究质子辐照诱生缺陷的行为特征，对提高GaN基器件的抗