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文件名称：论文研究-n-ZnO/(InGaN/GaN) MQWs/p-GaN .pdf
文件大小：345KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 08:37:38
金属有机化学气象沉积（MOCVD）
n-ZnO/(InGaN/GaN) MQWs/p-GaN，陈睿姝，梁红伟，本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积（MOCVD）在MQWs/p-GaN外延层上生长n-ZnO薄膜，并制得n-ZnO/MQW/p-GaN异质结发光二极管。电致发光（EL��