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文件名称：论文研究-Growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers.pdf
文件大小：829KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-12 05:15:20
InN
氮化铟纳米柱在InGaN缓冲层上的生长与性质，潘杨，王倜，在氮化镓衬底上，利用InGaN缓冲层，使用射频分子束外延方法垂直生长了c轴取向的氮化铟纳米柱。纳米柱的密度可以通过铟氮比来调控。