退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制* (2012年)

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文件名称：退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制* (2012年)
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更新时间：2021-04-27 04:40:51
工程技术 论文 利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜，研究了退火对ZnO薄膜特性的影响，并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型 MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加，在紫外波段有较高的响应度，光响应度峰值在370 nm附近。