连续退火对ZnO基金属-半导体-金属紫外光电探测器性能的影响

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文件名称：连续退火对ZnO基金属-半导体-金属紫外光电探测器性能的影响
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更新时间：2021-04-07 12:18:15
ZnO; MSM photodetector; Anneal; Schottky 在这项研究中，金属-半导体-金属（MSM）肖特基紫外（UV）光电探测器基于c轴首选取向的氧化锌（ZnO）膜，该膜是通过射频（RF）磁控溅射技术在石英基板上制备的。 MSM器件退火后，光电探测器的响应度大大提高。 同时，由实验引起的暗电流的增加伴随着退火温度的升高。 结合暗电流和响应度的观察对起源作了初步讨论。 在金属-半导体接触理论和扩散效应的基础上，提出了连续退火的物理机理。 通过这种模型，在退火过程中，来自电极的金原子在肖特基势垒中起着重要的作用。 这些结果表明，通过使器件退火，可以容易地实现改善光电检测器的响应性的简单途径。