文件名称：SiO2和TiO2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响 (2009年)
文件大小：322KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-29 21:19:13
自然科学 论文
讨论了柔性ITO薄膜在弯曲时导电能力失效的机理及影响因素.考察了SiO2和TiO2作为无机缓冲层的加入对于柔性ITO薄膜弯曲特性的影响.实验结果及分析表明，材料间的失配系数，结合力以及薄膜缺陷是影响 ITO薄膜弯曲特性的主要因素.SiO2或TiO2无机缓冲层的加入降低了ITO薄膜抗内弯折临界半径；TiO2缓冲层能够明显增加ITO薄膜的耐弯折次数.