退火处理对ITO和ITO?Zr薄膜性能的影响 (2008年)

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文件名称：退火处理对ITO和ITO?Zr薄膜性能的影响 (2008年)
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更新时间：2021-06-11 21:19:31
工程技术 论文 利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO-Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO-Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO-Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO?Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO-Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指