文件名称：铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响* (2011年)
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更新时间：2024-05-28 20:33:11
以超白玻璃为衬底，采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜，经自然氧化形成二氧化硅层，最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜，制备了glass/si/siO2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。用x射线衍射，光学湿微镜和拉曼光谱对样品进行了分析。结果表明，铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高而变小，且晶化能力及结晶质量也逐渐变差，当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。