非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征 (2007年)

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文件名称：非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征 (2007年)
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更新时间：2021-04-25 14:09:18
自然科学 论文 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅薄膜，研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率，折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小；在500nm处吸收系数高达8.5×104cm-1，光学禁带宽度在1.60—1.78eV之间变化。