沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)

时间:2024-06-09 19:26:51
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文件名称:沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)

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更新时间:2024-06-09 19:26:51

自然科学 论文

以硝酸锌溶液为电解液,采用电化学沉积方法,在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征,并研究薄膜的光电性能.结果表明,通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构,沉积电位为-0.75、-0.80、-0.85 V时,制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm,禁带宽度分别为3.12、3.27、3.29 eV,光电流密度分别为1.18、1.07、0.89 μA・cm-2.


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