沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)

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文件名称：沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)
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更新时间：2021-05-21 01:40:11
自然科学 论文 以硝酸锌溶液为电解液，采用电化学沉积方法，在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜．使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征，并研究薄膜的光电性能．结果表明，通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构，沉积电位为-0．75、-0．80、-0．85 V时，制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm，禁带宽度分别为3．12、3．27、3．29 eV，光电流密度分别为1．18、1．07、0．89 μA・cm-2．