脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究 (2005年)

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文件名称：脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究 (2005年)
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更新时间：2021-04-24 20:24:51
工程技术 论文 基于脉冲激光沉积（PLD）技术在光寻址电位传感器（LAPS）表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜，合成的靶材成分为Fe1.2（Ge28Sb12Se60）98.8，在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au，硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感，显示了良好的重复性和稳定性。在1×10-5～1×10mol/L呈现线性，斜率为（56±2）mV/decade，检测下限为5×10-6mol/L，当浓度高于1×10-4mol/L时，响应时间不超过40s；当低于此浓度时，响应时间不超过2min。