基于脉冲激光沉积的新型镐离子薄膜传感器 (2008年)

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文件名称：基于脉冲激光沉积的新型镐离子薄膜传感器 (2008年)
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更新时间：2021-05-18 17:09:05
工程技术 论文 采用用于镉离子选择电极的硫属玻璃（Cd一Ag一As-I-S）制备敏感材料，结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点，在光寻址电位传感器表面上沉积对镉离子敏感的薄膜材料，研制了一种新型镉离子选择薄膜传感器．该传感器基底为N型单晶硅片，金属接触层为Cr/!1u．通过实验得出该传感器的检出下限为I．15 X 10- mol/L,响应时间小于2 min,适用溶液pH范围为4-7,具有测量快速灵活、所需样品少、测量下限低等特点．该传感器对干扰离子具有较好的抑制能力．该传感器采用交流光激发电流信号进行测量，相对于