Cvn法制备SiO2薄膜工艺条件的研究 (2004年)

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文件名称：Cvn法制备SiO2薄膜工艺条件的研究 (2004年)

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更新时间：2024-06-03 20:11:43

自然科学 论文

在AleO3陶瓷基片上以正硅酸乙酷(TEOS)为原料,高纯氮气作载气,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积 (CVD)方法制备SiO2薄膜,研究了基片温度TEOS温度和沉积时间对SiO2薄膜沉积速率的影响采用XRD,XPS和 SEM技术对SiO2薄膜的组成和结构进行了分析。