文件名称：磁控溅射制备TiO2光催化薄膜工艺条件的优化 (2007年)
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更新时间：2024-05-17 15:46:35
工程技术 论文
采用正交实验设计法优化了玻璃基片表面磁控溅射制备 TiO2光催化活性薄膜的工艺条件,以罗丹明 B 的降解率作为薄膜光催化性的评价标准。结果表明:所考察的因素对薄膜光催化性能的影响次序是靶基距 >基 片温度 >溅射气压 >溅射功率 >氧氩比和靶基距的交互作用>氧氩比;所得优化条件为:功率155 W,靶基距 85 mm,气压1.2 Pa,氧氩比1:1 0,基片温度550℃。