基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响 (2012年)

时间:2024-06-20 23:42:43
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文件名称:基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响 (2012年)

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更新时间:2024-06-20 23:42:43

工程技术 论文

采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响。结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右。


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