GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究 (2005年)

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文件名称：GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究 (2005年)

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更新时间：2024-07-03 05:53:27

自然科学 论文

对射频磁控共溅射技术制备的 GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究 。与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸 3.2 nm 的复合薄膜吸收边蓝移达 1.16 eV 。