GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究 (2003年)

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文件名称：GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究 (2003年)

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更新时间：2024-06-19 19:36:14

自然科学 论文

采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%。光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。