文件名称:GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究 (2010年)
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更新时间:2024-05-18 02:34:51
自然科学 论文
为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构。该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/AlGaAs半导体薄膜制备而成。利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/AlGaAs压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子。研究了该薄膜结构的压阻效应,得到A1GaAs的应变因子可达70,相当于A1N-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电藕合器件中。