考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 (2004年)

时间:2024-05-28 20:22:49
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文件名称:考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 (2004年)

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更新时间:2024-05-28 20:22:49

工程技术 论文

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变AlGaAs/GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射--扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出:为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变


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