AlGaAs/GaAs HBT的设计与研制 (2005年)

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文件名称：AlGaAs/GaAs HBT的设计与研制 (2005年)

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更新时间：2024-06-12 04:19:57

自然科学 论文

分析了AlGaAs/GaAs HBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAs HBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AIGaAs/GaAs HBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平；开启电压小于0.3V。