文件名称：基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响 (2009年)
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更新时间：2024-05-27 08:40:44
自然科学 论文
基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain- Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.