非晶硅a-Si：H膜中氢含量的深度分布研究 (1991年)

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文件名称：非晶硅a-Si：H膜中氢含量的深度分布研究 (1991年)

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更新时间：2024-06-15 10:27:00

自然科学 论文

用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si：H)作了氢剖析．测量了(本征) I-a-Si：H单层膜及PIN-a-Si：H多层膜．结果表明，在～1 000A-～1 500A表面层中，氢含量从外到内急剧下降，而在内部维持一稳定值，并且随着衬底温度增加，膜中氢含量线性减少．氢含量的总误差小于10％，探测深度为～5 000A．