文件名称：脉冲式XeCl激光辐照a-si:H膜诱导晶化的研究* (1994年)
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更新时间：2024-05-28 04:15:16
自然科学 论文
当脉冲辐照a-Si:H膜的XeCl激光能量密度在240mJ/cm2以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微照象(SEM)和紫外(uV)分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用CO2激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在0.1～1.Oμm时，Raman位移为510cm-1～517cm～、半峰高宽度为10cm-1～15cm-1; a-Si: H膜经XeCl激光辐照或CO2激光退火后，都会增强晶化膜的吸