固态输送ZrCl4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的特征 (2012年)

时间:2024-06-14 01:35:38
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文件名称:固态输送ZrCl4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的特征 (2012年)

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更新时间:2024-06-14 01:35:38

工程技术 论文

采用ZrCl4-CH4-H2-Ar反应体系、固态输送ZrCl4粉末低压化学气相沉积(CVD)制备ZrC涂层。研究温度对低压化学气相沉积ZrC涂层物相组成、晶体择优生长、涂层表面形貌、断面结构、涂层生长速度和沉积均匀性等方面的影响。结果表明:不同温度下沉积的涂层主要由ZrC和C相组成;随着温度的升高,ZrC晶粒(200)晶面择优生长增强,颗粒直径增大,表面致密性增加,沉积速率上升;涂层断面结构以柱状晶为主;随着离进料口距离的增加,涂层的沉积速率逐渐减小;1 500℃时,沉积系统的均匀性比1 450℃时的差。


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