文件名称：射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究* (2011年)
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更新时间：2024-05-28 20:34:26
工程技术 论文
利用射频磁控溅射法，在p-si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜，并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明，AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测试表明，AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性，反向饱和电流为1.29×10-6A，±2V处的正向和反向电流之比为229.41，计算得出异质结的理想因子为2.28。在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应，这种异质结太阳电池具有2.51％的光