六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 (2009年)

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文件名称:六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 (2009年)

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更新时间:2024-06-06 07:37:17

自然科学 论文

利用Monte Cado(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺 寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现 为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少.在同样的温度下,随着入射 粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分 布状态过渡.进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌 发生了改变.


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