文件名称：不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 (2009年)
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更新时间：2024-06-05 05:38:57
自然科学 论文
利用Monte Carlo（MC）方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系. 模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程. 结果表明，基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响. 当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时，四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长，随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加，岛的数目变少、岛的平均尺寸变大. 对于六方晶格基底，当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时，岛的形貌从分散生长向分