论文研究-亚10nm技术代垂直沟道围栅纳米线器件多阈值设计 .pdf

时间:2022-09-11 23:29:32
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更新时间:2022-09-11 23:29:32

微电子学

亚10nm技术代垂直沟道围栅纳米线器件多阈值设计,陈珙,黎明,本文提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术,通过TCAD(计算机辅助设计软件)仿真手段将非对称halo(环状�


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