论文研究-垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化 .pdf

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文件名称：论文研究-垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化 .pdf

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更新时间：2022-09-12 13:19:35

微电子学

垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化，陈珙，黎明，本文针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管，提出了一种涉及源漏延伸区、源漏侧墙k值以及源漏侧墙宽度的器件设计，TCAD（计算机辅助�